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J-GLOBAL ID:200903096542602778

半導体チップパッケージ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995343934
Publication number (International publication number):1997115939
Application date: Dec. 28, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 高周波・高密度素子、特にMMICやOEICにおいて近接したボンディングワイヤ間に発生する相互インダクタンスと漏話レベルを減少させる。【解決手段】 同一の信号が伝達される接地またはバイパスI/O用の多重ボンディングパッドを含む複数のボンディングパッド16を有する半導体チップと、半導体チップが付着されるチップ支持手段と、半導体チップを外部と電気的に接続させるための複数の導電手段を具備する基板と、多重ボンディングパッドと対応する導電手段とを連結する少くとも二つの多重ボンディングワイヤ18a,18bを含む、ボンディングパッドと導電手段とを電気的に連結する複数のボンディングワイヤと、多重ボンディングワイヤ18a,18bの間に位置し両端が基板に連結され、多重ボンディングワイヤ18a,18bから発生する磁場が相互に干渉しないように遮蔽する電流ループ手段20を具備する。
Claim (excerpt):
同一の信号が伝達される少なくとも二つの多重ボンディングパッドを含む複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、該半導体チップが付着されるチップ支持手段と前記半導体チップを外部と電気的に接続させるための複数の導電手段を具備する基板と、前記多重ボンディングパッドと対応する導電手段とを連結する少くとも二つの多重ボンディングワイヤを含む、前記対応する複数のボンディングパッドと複数の導電手段とを電気的に連結する複数のボンディングワイヤと、前記多重ボンディングワイヤの間に位置し、両端が基板に連結されており、前記多重ボンディングワイヤから発生する磁場が相互に干渉しないように遮蔽する電流ループ手段と具備することを特徴とする半導体チップパッケージ。
IPC (3):
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607
FI (5):
H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 301 F ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 301 Z ,  H01L 21/607 B

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