Pat

J-GLOBAL ID：200903096545036641

半導体センサ

Inventor： 桐谷 範彦 ,  室 英夫
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258989
Publication number (International publication number)：1998107295
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、構造体を完全密閉構造として検出特性を安定させるとともに信頼性を向上させ、さらにカンなどのパッケージへの実装を不要とすることを目的とする。【解決手段】 半導体基板10の上面に薄い所定厚さの酸化膜22を介してガラスキャップ11を陽極接合し、構造体を密封するとともに、ガラスキャップ11との陽極接合領域の下方における半導体基板10の表面部に形成した引き出し拡散抵抗23を通じて検出手段4の出力を外部に取り出すようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板を選択的にエッチングして得られる所定構造の構造体と、該構造体部分に形成され当該構造体に印加される加速度、圧力又は角速度の力学量を検出する検出手段とを有する半導体センサにおいて、前記半導体基板の上面に薄い所定厚さの酸化膜を介してガラスキャップを陽極接合し、前記構造体を密封する密封構造を形成するとともに、前記ガラスキャップとの陽極接合領域の下方における前記半導体基板の表面部に引き出し拡散抵抗を形成し、該引き出し拡散抵抗を通じて前記検出手段の出力を外部に取り出すように構成してなることを特徴とする半導体センサ。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12

FI (3)：

H01L 29/84 A ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12