Pat
J-GLOBAL ID：200903096548948579

半導体装置

Inventor：
佐久間 芳樹

About 佐久間 芳樹


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000013275
Publication number (International publication number)：2001203382
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高い発光効率を容易且つ確実に得ることができ、従来のSi-MOSトランジスタ構造との整合性に優れ、光インターコネクト用にも利用可能であり、LSIの格段な性能向上を図る。【解決手段】 MIS型発光素子は、MIS型(MOS型)トランジスタと同様に構成される。ここで、ゲート絶縁膜3は、内部に発光物質、具体的にはSi,SiGe,Geなどの半導体ナノクリスタル、直接遷移型の半導体の多結晶や微結晶、Er,Euなどの希土類元素、ZnS:Mnなどの蛍光物質が添加されて形成されている。ソース/ドレイン2に所定電圧を、ゲート電極4に所定バイアスを印加することで、ゲート絶縁膜3を発光させる。
Claim (excerpt)：
ゲート電極及びソース/ドレインを備えたMIS型のトランジスタ構造を有してなる半導体装置であって、ゲート絶縁膜内に発光物質が添加されており、前記ゲート電極にバイアス電圧を印加することで前記ゲート絶縁膜中に導電性キャリアを注入し、前記ゲート絶縁膜を発光せしめることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (4)：
H01L 33/00 A ,  C09K 11/08 F ,  H05B 33/14 Z ,  H05B 33/26 Z
F-Term (20)：
3K007AB03 ,  3K007CB01 ,  3K007DA05 ,  3K007DB02 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007EC03 ,  3K007FA01 ,  4H001CA01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA22 ,  5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA06 ,  5F041CA33 ,  5F041CA71 ,  5F041CB31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM