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J-GLOBAL ID：200903096552407132

MIS型冷陰極電子放出装置

Inventor： 太田 好紀
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147582
Publication number (International publication number)：1993342995
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ホットエレクトロンがゲート絶縁膜とゲート電極を突き抜ける確率を高め、もって冷陰極からの引き出し電流を高める。【構成】基板31に形成されたカソード電極37と、前記基板31上に極薄のゲート絶縁膜34を介して形成された極薄のゲート電極35と、前記カソード電極37と対向して設けられたアノード電極38とを具備し、前記カソード電極37,アノード電極38に電圧を印加することによりゲート絶縁膜34からアノード電極38へ電子を放出させるMIS型冷陰極電子放出装置において、前記基板31上に高抵抗層32を介して前記ゲート絶縁膜34とゲート電極35を設ける。

Claim (excerpt)：

基板に形成されたカソード電極と、前記基板上に極薄のゲート絶縁膜を介して形成された極薄のゲート電極と、前記カソード電極と対向して設けられたアノード電極とを具備し、前記カソード電極,アノード電極に電圧を印加することによりゲート絶縁膜からアノード電極へ電子を放出させるMIS型冷陰極電子放出装置において、前記基板上に高抵抗層を介して前記ゲート絶縁膜とゲート電極を設けたことを特徴とするMIS型冷陰極電子放出装置。