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J-GLOBAL ID：200903096557132204

ドライエッチング方法および半導体装置

Inventor：
駒谷 務

About 駒谷 務


Applicant, Patent owner：
ユーディナデバイス株式会社

About ユーディナデバイス株式会社


Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004132124
Publication number (International publication number)：2005317684
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：
【課題】GaN系半導体層へのドライエッチング時のダメージの発生を抑制可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】GaN系半導体結晶層11に接して設けられているエッチング層12(エッチング対象とされる層)をドライエッチングする際に、SF6またはNF3のフッ素系ガス単独、もしくはこれらのフッ素系ガスとSiCl4、BCl3、またはCl2の何れかの塩素系ガスとの混合ガスを用い、先ずエッチング層12をその深さ方向に高速(高エネルギ)エッチングしておき(第1のプロセス)、更に残りの深さ方向領域を低速(低エネルギ)エッチングする(第2のプロセス)という少なくとも2段階のエッチングプロセスを採用することとしたので、GaN系半導体結晶層11へのダメージを低減することが可能となり、初期特性変動や通電劣化のないGaN系半導体装置の実現に寄与することが可能となる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
GaN系半導体層の表面を被覆するエッチング層のドライエッチング方法であって、 前記エッチング層を所望の厚みだけ残存させてプラズマエッチングする第1のステップと、 前記エッチング層の残余部を、前記第1のステップよりも低エネルギ印加されたプラズマでエッチングして前記GaN系半導体層表面を露出させる第2のステップと、を備えていることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4)：
H01L21/3065 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2)：
H01L21/302 105A ,  H01L29/80 H
F-Term (24)：
5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DB19 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • ドライエツチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-179032   Applicant：ソニー株式会社
Cited by examiner (14)
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