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J-GLOBAL ID：200903096557201079

半導体レーザ

Inventor： 古森 正明 ,  土屋 朋信 ,  岡 聡彦 ,  大石 昭夫 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035572
Publication number (International publication number)：1995245448
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、低しきい電流(特に1.5mA以下)、かつ高いスロープ効率で発振する光インタコネクト用長波長帯半導体レーザアレイを提供することにある。【構成】 半導体レーザの活性層3を歪量子井戸構造とし、その障壁層歪量と障壁層膜厚を適切な値(歪量を-0.2%から+0.2%、かつ障壁層膜厚が8nmから12nm)に設定する。さらに活性層幅、歪量子井戸層の井戸数、歪量子井戸層構造(歪量を+1.2から+1.6%、かつ量子井戸層膜厚が5から7nm)を適切に設定する。【効果】 本発明によれば、加入者系光通信、光インタコネクト等のシステムに適用可能な低動作電流動作の長波長帯半導体レーザを得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、上記活性層が少なくとも一層の歪量子井戸層と障壁層を有し、該歪量子井戸層の格子定数をaw、上記半導体基板の格子定数をasとし、上記歪量子井戸層の歪量Δaw/aを(aw-as)/asと定義したときに、Δaw/aが+1.2%≦Δaw/a≦+1.6%、かつ上記障壁層の格子定数をabとし、上記障壁層の歪量Δab/aを(ab-as)/asと定義したときに、Δab/aが-0.2%≦Δab/a≦+0.2%、かつ上記歪量子井戸層の膜厚が5nmから7nmであることを特徴とする半導体レーザ。