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J-GLOBAL ID：200903096559146415

半導体装置

Inventor： 安岡 奈美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255628
Publication number (International publication number)：1993102195
Application date： Oct. 03, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 InAlAsを電子供給層とする高電子易動度電界効果トランジスタ(HEMT)のゲート電極の形成に関し,電気的特性が揃ったかつソース,ドレイン間抵抗の小さなHEMTを提供することを目的とする。【構成】 Inx Al1-x Asからなる電子供給層(4)上に設けられたコンタクト層6は,Ga及びPの含有量がソース及びドレイン電極9,7が設けられる表面から電子供給層4の方向に増加するIn1-xGax Asy P1-y からなり,ゲート電極8を設けるための溝12を,コンタクト層6を選択的にエッチングして,ゲート電極8ゲート長より長い底辺と,その底辺より長い上辺とを有する逆台形型の断面形状に形成して構成し,及び,コンタクト層6と電子供給層4との間にInP層をストッパ層5として設けて構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)上に堆積されたチャネル層(2)と,該チャネル層(2)上に堆積され該チャネル層(2)に電子を供給するInx Al1-x Asからなる電子供給層(4)と,該電子供給層(4)上に堆積されたコンタクト層(6)と,該コンタクト層(6)を選択的にエッチングして形成された溝(12)と,該溝(12)の底に表出する該電子供給層(4)の表出面に設けられ該電子供給層(4)とショットキー接続するゲート電極(8)と,該溝(12)の両側の該コンタクト層(6)上に設けられ該コンタクト層(6)とオーミック接続するソース電極(9)及びドレイン電極(7)とを有する高電子易動度電界効果トランジスタ(HEMT)を含む半導体装置において,該コンタクト層(6)は,Ga及びPの含有量が該ソース電極(9)及び該ドレイン電極(7)が設けられる表面から該電子供給層(4)の方向に増加するIn1-x Gax Asy P1-y からなり,該コンタクト層(6)の選択的エッチングにより形成された該溝(12)の断面形状は,該ゲート電極(8)の長さ(ゲート長)より長い底辺と,該底辺より長い上辺とを有する逆台形型であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812