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J-GLOBAL ID：200903096561311180
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998329698
Publication number (International publication number)：1999224947
Application date： Nov. 19, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】しきい値電圧のばらつきを防止できるメタルゲート電極を用いたMOSトランジスタを実現すること。【解決手段】ゲート絶縁膜2上に結晶粒径が30nm以下のメタルゲート電極3を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体領域と、この半導体領域の表面に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられ、該ゲート絶縁膜と接する部分が金属を含み、かつ前記部分の平均の結晶粒径が30nm以下である第1のゲート電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 29/78
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/43
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/04 C
, H01L 29/46 A
, H01L 29/78 301 P
