半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995044613
Publication number (International publication number)：1996241895
Application date： Mar. 03, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】下層回路上に設けられた層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔を金属配線で接続する半導体装置において、上記金属配線を形成する際に、コンタクト孔内部にボイド(空孔)が無く信頼性の高い、かつ膜応力の低い金属配線を提供する。また、短工程の製造プロセスを提供する。【構成】上記金属配線を形成する際に、まず段差被覆性の良い条件でタングステン膜15を成膜形成しコンタクト孔13内部を埋め込んだ後、前記段差被覆性の良いタングステン膜15より膜応力の低い条件でタングステン膜16を成膜し金属配線層を形成し、膜全体の応力を低減する。

Claim (excerpt)：

タングステンを配線に用いる半導体装置の製造方法において、タングステン膜を減圧気相成長法で形成する工程と、前記タングステン膜にイオン注入する工程と、該イオン注入した前記タングステン膜をパターンニングして配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3205 , H01L 21/265 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/88 R , H01L 21/285 301 T , H01L 21/265 W , H01L 21/88 D , H01L 21/90 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-181150
特開昭58-182873
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-291461 Applicant：三菱電機株式会社

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