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J-GLOBAL ID：200903096564104780
薄膜トランジスタおよびその保護絶縁膜の成膜方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991351759
Publication number (International publication number)：1993167075
Application date： Dec. 16, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】製造過程において下部電極および下部配線が数百°Cに加熱される回数を少なくして、前記下部電極および下部配線を高融点金属の含有量が少ないAl系合金で形成してもヒロックが発生しないようにする。【構成】保護絶縁膜10を、低温で成膜した窒化シリコン膜とした。
Claim (excerpt)：
表面を保護絶縁膜で覆った薄膜トランジスタにおいて、前記保護絶縁膜を、低温で成膜した窒化シリコン膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (6)：
H01L 29/784
, C23C 16/34
, H01L 21/31
, H01L 21/318
, H01L 21/3205
, H01L 29/40
H01L 29/78 311 N
, H01L 21/88 N
