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J-GLOBAL ID：200903096566179167

電子線リソグラフィに適した化学増幅レジスト及び同レジスト・システム

Inventor： ジェームズ・ジェイ・ブッキニャーノ ,  ウー=ソン・ファン ,  アハマド・ディー・カトナーニ ,  キム・ワイ・リー ,  ウェイン・エム・モロー ,  カレン・イー・ペトリーリョ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012706
Publication number (International publication number)：1999282166
Application date： Jan. 21, 1999
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 改良されたレジスト塗膜の保存性を示し、使用時に真空の影響を殆どまたは全く受けない化学増幅レジストを提供する。【解決手段】 本発明は、水性塩基可溶性ポリマーまたはコポリマーの極性官能基の一部がメトキシシクロヘキサニルなどの脂環式ケタール保護基で保護された化学増幅レジストおよびレジスト・システムに関する。新規保護基を含む本発明のレジストおよびレジスト・システムは従来のレジストと比較して改善された保存性および真空安定性を有する。したがって、本発明のレジストは電子線リソグラフィ応用例に極めて有用である。

Claim (excerpt)：

Xが約3〜約12個の炭素原子を含む置換または非置換の脂環式の基であり、Rが約1〜約12個の炭素原子を含む直鎖または分岐アルキル、約3〜約12個の炭素原子を含む環状アルキル、および約6〜約14個の炭素原子を含むアリールから成る群から選択される、式RO-X-を有する脂環式ケタール置換基で、全てではなく一部が保護された極性官能基を有する水性塩基可溶性のポリマーまたはコポリマーを含む化学増幅レジスト。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 橋かけポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330237   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
• ポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-291710   Applicant：オーシージーミクロエレクトロニックマテリアルズインコーポレーテッド
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-349570   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 酸に不安定な保護基を有するフェノール樹脂
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006982   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
• 特開平4-313215
  
• 半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-014679   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特表平6-502341
  
• 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-208864   Applicant：住友化学工業株式会社