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J-GLOBAL ID：200903096568002973

アルミナ膜形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 小杉 清久 ,  渡部 純一 ,  五十嵐 誠 ,  代木 育夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226178
Publication number (International publication number)：1995086269
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、パーティクルの少ないアルミナ膜を形成することのできるアルミナ膜形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。【構成】 アルミナ膜を形成する基板を、アルミニウムを含む有機金属ガスと酸化性原料ガスとに交互に曝して、該基板上にアルミナ膜を形成するアルミナ膜形成方法において、該酸化性原料ガスとして、オキシド系有機物質を用いることを特徴とする。また、前記オキシド系有機物質は、エチレンオキシドであってもよい。

Claim (excerpt)：

アルミナ膜を形成する基板を、アルミニウムを含む有機金属ガスと酸化性原料ガスとに交互に曝して、該基板上にアルミナ膜を形成するアルミナ膜形成方法において、該酸化性原料ガスとして、オキシド系有機物質を用いることを特徴とするアルミナ膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  H01L 29/786