ポジ型レジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001338103
Publication number (International publication number)：2003140345
Application date： Nov. 02, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】現像欠陥の問題が少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び(D)少なくとも一つのフッ素原子を有する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び(D)少なくとも一つのフッ素原子を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

F-Term (12)：

2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037403 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-030542 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-311438 Applicant：信越化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page