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J-GLOBAL ID：200903096579335079

プラズマ発生用高周波電極と、該電極により構成されたプラズマCVD装置及びプラズマCVD法

Inventor： 高木 智 ,  寺西 康治 ,  山上 敦士
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997311337
Publication number (International publication number)：1999131244
Application date： Oct. 28, 1997
Publication date： May. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、大面積の基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成し得るプラズマ発生用高周波電極と、該電極により構成されたプラズマCVD装置及びプラズマCVD法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、高周波電力によりプラズマを生成するための棒状若しくは板状のプラズマ発生用高周波電極であって、前記プラズマ発生用高周波電極の給電点の反対側の先端部分における接地部分とのリアクタンスの絶対値を、放電の安定性を得るために一定の値以下としたことを特徴とするものであり、該電極によりプラズマCVD装置及びプラズマCVD法を構成したことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

高周波電力によりプラズマを生成するための棒状若しくは板状のプラズマ発生用高周波電極であって、前記プラズマ発生用高周波電極の給電点の反対側の先端部分における接地部分とのリアクタンスの絶対値を、放電の安定性を得るために一定の値以下としたことを特徴とするプラズマ発生用高周波電極。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205