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J-GLOBAL ID：200903096589625628
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049834
Publication number (International publication number)：1998233557
Application date： Feb. 18, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】本発明は長波長帯レーザーを発光する信頼性の良好な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、n型GaAs基板2上に、発振波長1.3μmの1/4の光学距離に対応した膜厚でn型GaAsとn型AlAsが交互に積層されたn型半導体多層膜反射鏡3、n型GaInPクラッド層4とp型GaInPクラッド層5に挟まれたアンドープInGaNAs活性層6及びp型GaAsコンタクト層7が順次結晶成長により形成され、コンタクト層7の表面に、波長1.3μmの1/4の光学距離に対応した膜厚でSiO2 とα-Siを交互に積層した多層膜反射鏡8が形成されている。多層膜反射鏡8は、その中央部を円柱状に残してエッチング処理され、その後、水素イオンが注入されて、高抵抗領域9が形成されている。
Claim (excerpt)：
第1導電型GaAs基板と、光学波長の1/4の厚さでAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0≦x<1)とAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(x<y≦1)が交互に積層された第1導電型の下部半導体多層膜反射鏡と、前記基板と格子整合する第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層に挟まれたIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N<SB>b</SB>As<SB>1-b-c</SB>P<SB>c </SB>(0≦a<1、0<b<1、0≦c<1)活性層と、光学波長の1/4の厚さで屈折率の異なる2種類の誘電体が交互に積層された上部誘電体多層膜反射鏡と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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