Pat
J-GLOBAL ID：200903096590819584
プレーナ型半導体素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994061838
Publication number (International publication number)：1995273325
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】不純物の選択的なドーピングとその後の拡散熱処理により曲率の小さな接合形状を実現するVLD(可変横方向ドーピング)構造をプレーナ型半導体素子に適用してプレーナ型半導体素子の高耐圧化を図る。【構成】プレーナ型半導体素子の活性領域は、不純物としてホウ素をドープし、VLD構造には不純物としてアルミニウムをイオン注入により選択的にドープし、酸化膜、窒化膜、酸化膜の三層の保護膜をつけて拡散熱処理してVLD領域を形成する。活性領域はホウ素なので微細な接合構造が実現でき、耐圧構造部はアルミニウムのVLD構造なので曲率の小さい、しかも不純物濃度勾配の小さい接合となり高耐圧化ができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板のn型の主表面の一部にp型不純物の導入により形成された主電流の導通を担う活性領域と、この活性領域を囲む周縁部の耐圧構造部に活性領域に接続して、p型不純物の選択的な導入および拡散熱処理によりゆるやかな接合形状に形成されたVLD(可変横方向ドーピング)構造を有するプレーナ型半導体素子において、VLD構造に導入された不純物がアルミニウムであり、活性領域に導入された不純物がアルミニウムより拡散速度の小さい三族元素であることを特徴とするプレーナ型半導体素子。
IPC (5)：
H01L 29/78
, H01L 21/22
, H01L 21/265
, H01L 21/336
, H01L 29/861
H01L 29/78 321 S
, H01L 21/265 W
, H01L 29/78 321 W
, H01L 29/78 321 P
, H01L 29/91 D
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
