Pat

J-GLOBAL ID：200903096616764872

光素子実装体の製造方法

Inventor： 松田 賢一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993174073
Publication number (International publication number)：1995030209
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来困難であった30μm角程度の小さな光素子チップを電子回路基板上にフリップチップボンディングする製造方法を提供する。【構成】 半導体基板101上にバッファ層102と能動層106を結晶成長し、複数の光素子111を形成する。能動層106をバッファ層102に達するまでエッチングして分離溝112を形成し、能動層106の表面を保護膜113で被覆して半導体基板101を除去する。バッファ層102の裏面を伸展性フィルム114に剥離可能な接着剤で接着し、バッファ層102を分離溝112に沿って破断し、伸展性フィルム114を引き延ばして隣接する光素子111間に間隙115を設ける。伸展性フィルム114を支持治具として用い、光素子111の駆動用電極109を電子回路基板117に融着固定する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にバッファ層と能動層を結晶成長する工程と、前記能動層を加工して前記能動層の表面に駆動用電極が露出した複数の光素子を形成する工程と、前記能動層を前記バッファ層に達するまでエッチングして分離溝を形成し、各々が少なくとも1個の前記光素子を含む複数のチップに区分する工程と、前記能動層の表面を保護膜で被覆して前記半導体基板を除去する工程と、前記バッファ層の裏面を伸展性フィルムに剥離可能な接着剤で接着する工程と、前記バッファ層を前記分離溝に沿って破断し、前記チップを個々に切り離す工程と、前記伸展性フィルムを引き延ばして隣接する前記チップ間に間隙を設ける工程と、前記伸展性フィルムを支持治具として用い、前記チップの前記駆動用電極を電子回路基板に融着固定する工程と、前記伸展性フィルムを前記チップから剥離する工程とを有することを特徴とする光素子実装体の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/78 V ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 W ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 S