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J-GLOBAL ID：200903096618085263

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 赤坂 泰志 ,  中嶋 一明 ,  宮野 清孝 ,  須黒 恭一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021237
Publication number (International publication number)：1997213655
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】ゲート耐圧の低下を防止できるポリサイドゲートを提供すること。【解決手段】多結晶シリコン膜4と、この多結晶シリコン膜4上に形成されたWSix 膜5と、このWSix 膜5の表面に形成されたシリコンイオン注入層6とによりWSix ポリサイドゲートを構成する。

Claim (excerpt)：

シリコン膜と、このシリコン膜上に形成された高融点金属シリサイド膜と、この高融点金属シリサイド膜の表面に形成されたシリコンイオン注入層とからなる配線および電極の少なくとも一方を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G