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J-GLOBAL ID：200903096633415431

透光導電薄膜応用の半導体結晶結合方法

Inventor： 黄 國欣 ,  陳 澤澎
Applicant, Patent owner： 黄 國欣
Agent (1)： 竹本 松司 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994297777
Publication number (International publication number)：1996130326
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 発光ダイオードの発光効率を高め、製造しやすく、結晶の変形を防ぐ一種の透光導電薄膜応用の半導体結晶結合方法。【構成】 一個の半導体素子を含む第1結晶を準備し;第2半導体基板を準備し;該第2半導体基板上に一層の透光導電薄膜を形成する透光導電薄膜を形成し;該第2半導体基板と第1結晶をきつく挟み、透光導電薄膜が第2半導体基板と第1結晶の間を介するようにし;きつく挟んだ2片の結晶を高温中で一段時間加熱し、もって結晶を結合する。なお、透光導電薄膜は、ITO、CTOなどの材料とする。

Claim (excerpt)：

a.一個の半導体素子を含む第1結晶を準備する;b.第2半導体基板を準備する;c.該第2半導体基板上に一層の透光導電薄膜を形成する透光導電薄膜を形成する;d.該第2半導体基板と第1結晶をきつく挟み、透光導電薄膜が第2半導体基板と第1結晶の間を介するようにする;e.きつく挟んだ2片の結晶を高温中で一段時間加熱し、もって結晶を結合する;以上のステップを含む、透光導電薄膜応用の半導体結晶結合方法。