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J-GLOBAL ID：200903096637836652

レジストの露光方法

Inventor： 大木 裕史
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 猪熊 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995180876
Publication number (International publication number)：1997007935
Application date： Jun. 23, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】集積度の高いICを製造することができるレジストの露光方法を提供する。【構成】入射光の強度に応じて光透過率が増大する薄膜5をレジスト6上に塗布し、該薄膜5に光スポットを照射して薄膜5の光透過率を局所的に増大させ、光スポットとレジスト6とを相対的に走査することによって薄膜5の光透過率増大部5aを所望のパターンに形成し、薄膜5の光透過率増大部5aを通してレジスト6を露光することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

入射光の強度に応じて光透過率が増大する薄膜をレジスト上に塗布し、該薄膜に光スポットを照射して薄膜の前記光透過率を局所的に増大させ、前記光スポットと前記レジストとを相対的に走査することによって薄膜の前記光透過率増大部を所望のパターンに形成し、薄膜の前記光透過率増大部を通して前記レジストを露光するレジストの露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521

FI (5)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 573