Pat

J-GLOBAL ID：200903096638760900

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 三宅 雅保 ,  中山 諭 ,  小林 敏夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994158660
Publication number (International publication number)：1996031931
Application date： Jul. 11, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 不純物の相互拡散の影響のないポリサイドゲート構造を有する半導体装置およびその製造方法を実現可能にする。【構成】 ポリサイドゲート構造におけるリンドープポリシリコン層8,ボロンドープポリシリコン層9とタングステンシリサイド層11との間に窒素ドープ非晶質シリコン層10を挟み、リンドープポリシリコン層8およびボロンドープポリシリコン層9中の不純物がタングステンシリサイド層11中を通して相互に拡散しない構造とした。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有する第1の半導体層と第2の導電型を有する第2の半導体層とが金属シリサイド配線により接続されてなる半導体装置において、前記金属シリサイド配線と前記第1の半導体層または前記金属シリサイド配線と前記第2の半導体層とが窒素を添加したシリコン層を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43

FI (4)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/46 A