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J-GLOBAL ID：200903096639663631

高活性光触媒二酸化チタンの製造方法

Inventor： 崔 永樹 ,  山本 春也 ,  伊藤 久義
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002107886
Publication number (International publication number)：2003299966
Application date： Apr. 10, 2002
Publication date： Oct. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、光触媒の高効率化のために従来行われてきた遷移金属等を添加することなく、酸化チタン光触媒の効率を向上させることを課題とする。【解決手段】 本発明は、基板上にTiO2を100〜200nmの厚さで成膜した後TiO2膜の上にTi2O3を部分的に蒸着する、光触媒二酸化チタンの製造方法であって、TiO2の光触媒活性が増大されることを特徴とする方法を解決手段とする。また、本発明は、基板温度400〜600°Cにおいて、レーザ蒸着法により酸素を含む雰囲気下でTiO2を成膜し真空下でTi2O3を蒸着する、上記方法を課題解決手段とする。

Claim (excerpt)：

基板上にTiO2を100〜200nmの厚さで成膜した後TiO2膜の上にTi2O3を部分的に蒸着する、光触媒二酸化チタンの製造方法であって、TiO2の光触媒活性が増大されることを特徴とする方法。

IPC (4)：

B01J 35/02 ,  B01J 21/06 ,  B01J 37/02 301 ,  C01G 23/04

FI (4)：

B01J 35/02 J ,  B01J 21/06 M ,  B01J 37/02 301 P ,  C01G 23/04 C

F-Term (21)：

4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BC50A ,  4G069BC50B ,  4G069DA05 ,  4G069EA08 ,  4G069EB15X ,  4G069EC28 ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4G069FC06 ,  4G069FC07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光触媒を含有する層が表面に形成された基材及び、光触媒を含有する層を基材表面に形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-063703   Applicant：東陶機器株式会社
• 光触媒部材及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-229366   Applicant：東陶機器株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• パルス光励起表面電荷分離測定法によるTiO2/Ti2O3積層膜の評価