Pat

J-GLOBAL ID：200903096649973744

4H型単結晶炭化珪素の製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  尾上 浩三 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995319959
Publication number (International publication number)：1997157091
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Jun. 17, 1997
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、4H型単結晶炭化珪素を再現性よく成長させる方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に不純物を5×1018cm-3以上導入する。

Claim (excerpt)：

種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に不純物を5×1018cm-3以上導入することを特徴とする4H型単結晶炭化珪素の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特表平3-501118
  
• n型炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293268   Applicant：シャープ株式会社
• SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-042708   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 4H形炭化珪素単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126463   Applicant：新日本製鐵株式会社

Cited by examiner (1)

• 特表平3-501118