薄膜半導体装置の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：目次誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118637
Publication number (International publication number)：1996316487
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 TFTのオンオフ特性を劣化させることなく、チャネルドープによるしきい値電圧の制御を行わせることが可能な半導体薄膜装置の製造方法を得る。【構成】基板1あるいは絶縁性薄膜2の表面にチャネルドープ用の不純物をイオン注入し、基板ドープ層13を形成する。基板ドープ層13上に、a-Si膜を形成した後、エキシマレーザー17を照射し、a-Si膜14aを溶融再結晶化し、多結晶Si膜14を形成する。このとき、同時に基板ドープ層13中から不純物を熱拡散させ、チャネルドープ領域16aを形成する。その後、ゲート電極、ソース・ドレイン領域を形成し、TFTを製造する。

Claim (excerpt)：

基板上に不純物を含む絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に半導体の非晶質層を形成する工程と、前記非晶質層にエネルギービームを照射することによって前記絶縁層から前記非晶質層内に前記不純物を拡散させるとともに、前記非晶質層を結晶化させて不純物が導入された半導体結晶層を形成する工程とを備えることを特徴とする、薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/225 , H01L 21/268 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331

FI (7)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/225 Q , H01L 21/268 Z , H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 618 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073314 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-114265
特開平2-234440

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