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J-GLOBAL ID:200903096664406260

粒子形成傾向の低下したフォトレジスト組成物の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 江崎 光史 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000529639
Publication number (International publication number):2002502055
Application date: Jan. 20, 1999
Publication date: Jan. 22, 2002
Summary:
【要約】本発明は、フォトレジスト組成物を約0.05μm〜約0.50μm、好ましくは約0.05〜約0.30μm、特に好ましくは約0.05〜約0.15μmの範囲用のフィルターに通して濾過し;酸性イオン交換樹脂で処理しおよび約35〜約90°Cの温度にに加熱し;そして再び約0.05μm〜約0.50μmの範囲用のフィルターに通して濾過する、粒子形成傾向が非常に低減されたフォトレジスト組成物の製造方法を提供する。
Claim (excerpt):
フォトレジスト組成物の製造方法において、a) 造膜性樹脂を感光性化合物とフォトレジスト溶剤中で混合しそしてそれによ ってフォトレジスト組成物を製造し;b)段階a)から得られるフォトレジスト組成物を約0.05μm〜約0.50 μmの範囲用のフィルターに通して濾過し;c)段階b)から得られるフォトレジスト組成物を酸性カチオン交換樹脂で処理 しおよびフォトレジスト組成物を約35°C〜約90°Cの温度に加熱し;そしてd)段階c)から得られるフォトレジスト組成物を約0.05μm〜約0.50 μmの範囲用のフィルターに通して濾過することを特徴とする、上記方法。
IPC (2):
G03F 7/023 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 7/023 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (9):
2H025AA02 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB29 ,  2H025CC03

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