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J-GLOBAL ID：200903096669041139

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 佐藤 純治 ,  杢 哲次 ,  田中 良孝 ,  田嶋 未来雄
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002362652
Publication number (International publication number)：2004193498
Application date： Dec. 13, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】半導体発光素子の発光特性の向上が困難であった。【解決手段】低抵抗のシリコン基板1の上にバッファ層2、n型クラッド層3、多重井戸構造活性層4、p型クラッド層5を設ける。バッファ層2とn型クラッド層3との合計の厚みを薄くすることによってn型クラッド層3の表面に転位を生じさせる。n型クラッド層3の表面に転位を基点として角錐状の複数の活性層4を成長させる。複数の角錐台状の活性層4の上及び相互間にクラッド層5を形成する。p型クラッド層5の表面を平坦に形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板を用意する工程と、 その表面に複数の転位が生じるように前記基板上にエピタキシャル成長法によって前記基板と異なる材料から成る第1導電型の半導体領域を形成する工程と、 前記第1導電型の半導体領域の表面上に前記転位を基点とし角錐又は角錐台形状に突出し且つ互いに分離している複数の量子井戸構造の活性層をエピタキシャル成長法によって形成する工程と、 前記複数の量子井戸構造の活性層の上及びこれ等の相互間にエピタキシャル成長法によって前記第1導電型と反対の第2導電型の半導体領域を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB05 ,  5F041CB36