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J-GLOBAL ID：200903096671212374

プラズマエッチング装置

Inventor：
真白 すぴか

About 真白 すぴか


Applicant, Patent owner：
日電アネルバ株式会社

About 日電アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993139608
Publication number (International publication number)：1994333878
Application date： May. 18, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 プラズマエッチング装置において被加工物の汚染の発生を少なくしエッチングの均一性を向上する。【構成】 対向する2つの電極1,2の間に一方の当該電極1の対向面から噴射されたガスを導入しかつ電極の間に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、他方の電極2の上に設置した被加工物8を加工するプラズマエッチング装置において、前記ガスを噴射する電極の対向面に単結晶Si(シリコン)または多結晶Siからなるガス導入板5を付設するように構成される。ガス導入板5には直径約0.2〜1mmのガス吹出し孔7が複数個形成されている。またガス導入板5の内側に間隙部6を設け、この間隙部6の外周部でガス導入板5と電極1とを電気的および熱的に接触させるように構成される。
Claim (excerpt)：
対向する2つの電極の間に一方の前記電極の対向面から噴射されたガスを導入しかつ前記2つの電極の間に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、他方の前記電極の上に設置した被加工物を加工するプラズマエッチング装置において、前記ガスを噴射する前記電極の対向面に単結晶Siまたは多結晶Siからなるガス導入板を付設したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3)：
H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-073936
  • 特開昭62-085430
  • ドライエッチング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-093435   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
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