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J-GLOBAL ID：200903096676001550

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小田 宗隆 ,  白石 忠義
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012270
Publication number (International publication number)：1993206453
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ホットキャリア耐性の優れたゲート絶縁膜を形成する。【構成】 炭素原子と、窒素、フッ素および塩素のうち少なくとも1種以上の原子とを含む酸化膜を用いる。このようなゲート酸化膜は、半導体基板2を熱酸化する際の雰囲気ガス中に炭素を含んだ化合物および窒素原子やハロゲン原子を含んだ化合物を混在させることで形成される。

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜を含む半導体装置において、ゲート絶縁膜が、炭素原子と、窒素、フッ素および塩素のうち少なくとも1種以上の原子とを含む酸化膜よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/62