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J-GLOBAL ID：200903096688854132

Si基板の切断方法

Inventor： 井本 克之 ,  於曽能 啓一 ,  佐藤 忍
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998049390
Publication number (International publication number)：1998323779
Application date： Mar. 02, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】Si基板を蒸発切断或いは割断切断できる切断方法を提供する。【解決手段】レーザビーム2-2をSi基板3に照射して加熱する工程と停止する工程とによって、Si基板3に局所的に熱衝撃が加わって切断される。すなわち、Si基板3に瞬間的にレーザビーム2-2を吸収させて急加熱する工程と、レーザビーム2-2の照射を停止し、かつガスを吹き付けてSi基板3を急冷却する工程とによってSi基板3が切断される。また、波長9μm付近のレーザビームが最もSi基板3に吸収されるので、発振波長が9.1μm〜9.4μmの範囲から選ばれたCO2 レーザビームをSi基板3に照射することにより切断が促進される。

Claim (excerpt)：

Si基板に、発振波長が9.1μm〜9.4μmの範囲から選ばれたCO2 レーザビームを照射しながら上記Si基板を移動させることによって上記Si基板を切断することを特徴とするSi基板の切断方法。