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J-GLOBAL ID：200903096696105459

半導体レーザ

Inventor： 勝山 造
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186534
Publication number (International publication number)：1993037068
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】同一基板上に多波長半導体レーザを形成する。【構成】半導体基板101上に、クラッド層103,107と、これらのクラッド層103,107に挟まれ、これらのクラッド層103,107よりも屈折率が大きく、通電することで量子井戸レーザ発振する活性層105と、この活性層105の近傍に電流の流れを遮り活性層105の通電領域を制限する複数の電流ブロック層108a,108b,108c,108dとを設け、活性層102の通電領域で量子井戸レーザ共振器で構成する。ここで、電流ブロック層108a,108b,108c,108dの間隔が違ったものになっており、異なった電流ストライプ幅をなしている。

Claim (excerpt)：

同一半導体基板上に、クラッド層に挟まれた活性層の通電領域をレーザ発振領域とする量子井戸レーザ共振器を複数設け、これらの量子井戸レーザ共振器のうち少なくとも2つの前記通電領域が互いに異なった幅を有していることを特徴とした半導体レーザ。