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J-GLOBAL ID：200903096698885966

半田バンプの形成方法

Inventor： 梅田 修
Applicant, Patent owner： 株式会社富士通ゼネラル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991336846
Publication number (International publication number)：1993166811
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 IC等の半導体部品のアルミ電極に金のスタッドバンプをワイヤーボンダで形成し、その上に半田でスタッドバンプを形成することで拡散防止のバリアメタルの形成を省略する。【構成】 IC等の半導体部品1のアルミ電極2に金のスタッドバンプ3をまず形成し、さらにその上に半田のスタッドバンプ4を形成する。

Claim (excerpt)：

IC等の半導体部品のアルミ電極に金のスタッドバンプを形成し、その上に半田のスタッドバンプを形成したことを特徴とする半田バンプの形成方法。

FI (2)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D