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J-GLOBAL ID：200903096723837912

超音波センサ

Inventor： 奥山 雅則
Applicant, Patent owner： 奥山 雅則
Agent (1)： 西教 圭一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993206196
Publication number (International publication number)：1995055919
Application date： Aug. 20, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 感度の向上を図り、さらにノイズの混入を防ぐ。【構成】 シリコン半導体基板上に片持ち梁形式で圧電体膜を支持して形成し、その圧電体膜の厚み方向の両表面に一対の各電極を形成し、いずれか少なくとも一方の電極は、基端部付近にのみ形成し、これによって大きな応力が作用する基端部付近における圧電検出電圧をそのまま導出して感度の向上を図ることができる。この半導体基板上に、電界効果トランジスタを用いたソースホロワ回路を設け、これによって誘導ノイズおよびポップコーンノイズなどのノイズの混入を防ぐ。

Claim (excerpt)：

圧電体膜を片持ち梁形式で支持体に支持し、圧電体膜の基端部付近を含む厚み方向の両表面に一対の各電極を形成した超音波センサにおいて、少なくともいずれか一方の電極は、前記基端部付近にのみ形成されることを特徴とする超音波センサ。