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J-GLOBAL ID：200903096734548122
半導体レーザアレイ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007954
Publication number (International publication number)：1993198888
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、同一基板上に、発振層を有する複数個のレーザ共振器が並設され、各レーザ共振器から異なる発振波長のレーザ光を出射する半導体レーザアレイ装置において、 全てのレーザ共振器で効率良くレーザ発振を行うことができ、且つ発振波長の範囲を広くすることを目的とする。【構成】 本発明の半導体レーザアレイ装置は、同一基板上に、発振層を有する複数個のレーザ共振器が並設され、上記各レーザ共振器には、互いに異なる周期の回折格子が設けられていると共に、上記発振層が複数の井戸層を有する多重量子井戸構造で構成され、各井戸層が夫々上記各回折格子のブラッグ波長に対応する遷移波長を持つものである。
Claim (excerpt)：
同一基板上に、発振層を有する複数個のレーザ共振器が並設され、各レーザ共振器から異なる発振波長のレーザ光を出射する半導体レーザアレイ装置において、上記各レーザ共振器には、互いに異なる周期の回折格子が設けられていると共に、上記発振層は複数の井戸層を有する多重量子井戸構造で構成され、各井戸層は夫々上記各回折格子のブラッグ波長に対応する遷移波長を持つことを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
Patent cited by the Patent：
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