低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234635
Publication number (International publication number)：1999079830
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】低熱膨張を有するとともに高剛性を有する低熱膨張セラミックスとその製造方法を提供する。【解決手段】コージェライト粉末を30〜90重量%、窒化珪素、炭化珪素、酸窒化珪素の中から少なくとも1種を10〜70重量%の割合で配合した成形体、さらには、これにイットリアまたは希土類酸化物および/またはリチウム化合物を0.1〜10重量%添加した成形体を真空もしくは不活性ガス雰囲気中で1200〜1500°Cの温度で焼成して、10〜40°Cにおける熱膨張率が1×10-6/°C以下、ヤング率が150GPa以上の低熱膨張セラミックスを得る。また、この低熱膨張セラミックスを露光装置用ステージなどの半導体製造用部品に応用することにより、高微細回路形成の精度を高め品質、量産性を高める。

Claim (excerpt)：

コージェライトを30〜90重量%、窒化珪素、炭化珪素、酸窒化珪素の中から少なくとも一種を10〜70重量%の割合で含み、10〜40°Cにおける熱膨張率が1×10-6/°C以下、ヤング率が150GPa以上であることを特徴とする低熱膨張セラミックス。

IPC (2)：

C04B 35/195 , H01L 21/68

FI (2)：

C04B 35/16 A , H01L 21/68 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

炭化ケイ素質耐火物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-351326 Applicant：東芝セラミックス株式会社
特開昭59-174572
特開昭57-038371

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