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J-GLOBAL ID：200903096757938432

半導体装置およびその駆動方法

Inventor： ファン チン ,  アマルトゥンガ ゲーハン アニル ジョセフ ,  熊谷 直樹
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284856
Publication number (International publication number)：1996213617
Application date： Nov. 01, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】オン抵抗が低く、かつスイッチオフ速度の速い半導体装置を得る。【解決手段】横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(LIGBT)と、横型二重拡散・金属-酸化膜-半導体(LDMOS)とを備え、LIGBTとLDMOSは同一基板に横方向に形成され、LIGBTのカソードがLDMOSのソースと電気的に接続され、LIGBTのアソードがLDMOSのドレインと電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

カソードと、アノードと、ゲートと、を有する横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(LIGBT)と:ソースと、ドレインと、ゲートと、を有する横型二重拡散・金属-酸化物-半導体(LDMOS)と、を備え、LIGBTとLDMOSは同一基板に横方向に形成され、LIGBTのカソードがLDMOSのソースと電気的に接続され、LIGBTのアノードがLDMOSのドレインと電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (4)：

H01L 29/78 656 B ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 655 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-148873
  
• 特開平4-079376
  
• 特開平2-270377
  
• 特開平2-177454
  
• 特開平2-168646