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J-GLOBAL ID：200903096759795396

膜のスパッタリング形成方法

Inventor： 北浦 義昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1988013529
Publication number (International publication number)：1995161637
Application date： Jan. 26, 1988
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】 電子出願以前の出願であるので要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。

Claim (excerpt)：

基板上にスパッタリング法によって膜を形成するにあたり、前記基板をターゲットに対向させて配置し、前記基板及びターゲット間で直流放電を行なう期間と高周波放電を行なう期間を設けることにより内部応力の異なる薄膜を積層して膜を形成することを特徴とする膜のスパッタリング形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/38 ,  C23C 14/40 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812