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J-GLOBAL ID：200903096766278895

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 入江 重夫 ,  中林 隆 ,  山田 隆順
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998012221
Publication number (International publication number)：1999214678
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜を劣化させることなく、ゲート電極の短絡も防止し、セルフアラインコンタクトを形成できる半導体装置を実現する。【解決手段】 ゲート酸化膜2,ゲート電極3およびシリコン窒化膜4の側壁に沿ってシリコン酸化膜6を形成し、シリコン酸化膜6を介してゲート電極3およびシリコン窒化膜4の側壁に側壁シリコン窒化膜5を形成し、さらに、側壁シリコン窒化膜5とシリコン窒化膜4との間のシリコン酸化膜6の上方部分にシリコン窒化膜8を埋設している。ゲート酸化膜2が側壁シリコン窒化膜5と直接接していないため、側壁シリコン窒化膜5に起因するストレスを緩和できる。側壁シリコン窒化膜5とシリコン窒化膜4との間にシリコン窒化膜8を埋設したことにより、ゲート電極3の下部以外の周囲は、シリコン窒化膜4,側壁シリコン窒化膜5およびシリコン窒化膜8で覆われているため、ゲート電極3の短絡を防止できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記ゲート電極上に形成したゲート上部絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜,前記ゲート電極および前記ゲート上部絶縁膜の側壁に沿って形成したストレス緩和用絶縁膜と、前記ストレス緩和用絶縁膜を介して前記ゲート電極および前記ゲート上部絶縁膜の側壁に形成したゲート側壁絶縁膜とを備えた半導体装置であって、前記ストレス緩和用絶縁膜のうち前記ゲート側壁絶縁膜と前記ゲート上部絶縁膜との間の部分をゲート短絡防止用絶縁膜に置換したことを特徴とする半導体装置。