非還元性誘電体磁器材料

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998090751
Publication number (International publication number)：1998335169
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Ni等の卑金属を内部電極とする積層磁器コンデンサーに用いた場合、1300°C以下で焼結し、容量温度係数が小さく、かつ-150〜+150 ppm/°Cの範囲で任意に制御可能で、25°Cでの比抵抗が1×1013Ωcm以上で、比誘電率、誘電正接( tanδ)の周波数依存性が少なく、絶縁抵抗の加速寿命時間の長い非還元性磁器材料を実現する。【解決手段】主組成を〔(CaXSr1-X)O〕m〔(TiYZr1-Y)O2〕と表したとき、X,Yおよびmの値がそれぞれ、0≦X≦1、0≦Y≦0.10、0.75≦m≦1.04、の範囲にある主成分と、この主成分に対し副成分としてMn酸化物をMnOに換算して0.2〜5 mol %、Al酸化物をAl2O3に換算して0.1〜10 mol%、および〔(BaZCa1-Z)O〕VSiO2で表され、Z,Vがそれぞれ、0≦Z≦1、0.5≦V≦4.0、の範囲の成分を0.5〜15 mol%含有する非還元性誘電体磁器材料とした。

Claim (excerpt)：

主組成を〔(CaXSr1-X)O〕m〔(TiYZr1-Y)O2〕と表したとき、X,Yおよびmの値がそれぞれ、0≦X≦1、0≦Y≦0.10、0.75≦m≦1.04、の範囲にある主成分と、この主成分に対し副成分としてMn酸化物をMnOに換算して0.2〜5 mol%、Al酸化物をAl2O3に換算して0.1〜10 mol%、および〔(BaZCa1-Z)O〕VSiO2で表され、Z,Vがそれぞれ、0≦Z≦1、0.5≦V≦4.0、の範囲の成分を0.5〜15 mol%含有する非還元性誘電体磁器材料。

IPC (3)：

H01G 4/12 358 , C04B 35/49 , H01B 3/12 326

FI (3)：

H01G 4/12 358 , H01B 3/12 326 , C04B 35/49 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-133115
特開平2-248014
特開平3-285872

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