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J-GLOBAL ID:200903096786536556
パワーモジュール用基板及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
須田 正義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995181176
Publication number (International publication number):1997036277
Application date: Jul. 18, 1995
Publication date: Feb. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】熱変形を吸収してセラミック基板の反りや割れを防止し、小型にでき、比較的軽くかつ放熱特性を向上させる。【解決手段】Al2O3又はAlNにより形成されたセラミック基板13に可塑性多孔質金属層17を介して回路基板18が積層接着される。セラミック基板の裏面には必要に応じて金属薄板14が接着される。可塑性多孔質金属層17は気孔率20〜50%のCu,Al又はAgの多孔質焼結体であることが好ましい。回路基板がCuにより形成されると可塑性多孔質金属層はAg-Cu-Tiろう材により接合され、回路基板がAlにより形成されると可塑性多孔質金属層はAl-Siろう材により接合されることが好ましい。可塑性多孔質金属層17にはシリコーングリースが充填される。
Claim (excerpt):
Al2O3又はAlNにより形成されたセラミック基板(13)に可塑性多孔質金属層(17)を介して回路基板(18)が接合されたことを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (3):
H01L 23/13
, C04B 37/02
, H01L 23/12
FI (3):
H01L 23/12 C
, C04B 37/02 B
, H01L 23/12 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体装置用基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-178386
Applicant:富士電機株式会社, 株式会社住友金属セラミックス
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特開平3-137069
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特開昭57-060894
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