Pat
J-GLOBAL ID:200903096786743497

プラズマ励起セル装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大島 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994102301
Publication number (International publication number):1995288237
Application date: Apr. 15, 1994
Publication date: Oct. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 気体励起種の励起状態を制御すること容易なプラズマ励起セル装置を提供する。【構成】 励起されたガスの排出口近傍に正または負の電圧が供給されたグリッド電極を設け、このグリッド電極に流れる電流を検出し、その値からガスの励起状態を判断してプラズマ励起セル装置をフィードバック制御することにより、ガスの励起状態を適正制御できる。特に、本装置をエピタキシャル結晶成長装置に於て、放電室を郭成する有底筒状のケーシングの底部に磁石を設け、ケーシングの外周に高周波コイル配設したドーパントガスのプラズマ励起セル装置に適用し、励起用ガスの流量及び/または高周波パワーをフィードバック制御することにより、基板上に高い品質の化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させることができる。
Claim (excerpt):
励起用ガスの供給口と励起されたガスの排出口と放電室とを有するプラズマ励起セル装置であって、前記排出口近傍に設けられ、かつ該プラズマ励起セル装置と電気的に絶縁されたグリッド電極と、前記グリッド電極に正または負の電圧を供給する直流電源と、前記グリッド電極に生じる電流を検出する電流検出装置と、前記電流検出装置により検出された電流から前記ガスの励起状態を判断して前記励起用ガスの流量及び/またはプラズマ発生用パワーをフィードバック制御する制御装置とを有することを特徴とするプラズマ励起セル装置。
IPC (7):
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/36 ,  H05H 1/46

Return to Previous Page