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J-GLOBAL ID：200903096791943020

薄膜ガスセンサ

Inventor： 鈴木 卓弥 ,  小野寺 克巳 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999096951
Publication number (International publication number)：2000292398
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】電池駆動するために微小化したガス感知層と感知電極間のコンタクト抵抗を低減してガス感知感度(R0/Rg)を高める。【解決手段】微小化したSnO2ガス感知層とこれに接合する感知電極との間にガス感知層よりドナー密度の高いコンタクト層を設けることにより、感知電極とガス感知層のコンタクト抵抗を小さくして、感知電極間抵抗のガス感知による抵抗変化の割合を増大させる。

Claim (excerpt)：

薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーターを電気絶縁膜で覆い、その上に半導体薄膜によりガス感知膜を形成し、このガス感知膜に接して所定間隔置いて1対の感知電極間を設けてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知膜と1対の感知電極との間に、それぞれガス感知膜よりもドナー密度が高く低抵抗のコンタクト層を形成したことを特徴とする薄膜ガスセンサ。

FI (2)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C

F-Term (28)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB01 ,  2G046BB04 ,  2G046BE03 ,  2G046BE07 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA07 ,  2G046EA11 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FB06 ,  2G046FE00 ,  2G046FE10 ,  2G046FE24 ,  2G046FE25 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ガスセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-048946   Applicant：富士電機株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248629   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平2-161344