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J-GLOBAL ID：200903096792315782

可飽和吸収反射鏡

Inventor： 張 志剛 ,  中川 格 ,  板谷 太郎 ,  菅谷 武芳 ,  鳥塚 健二
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227088
Publication number (International publication number)：2000058976
Application date： Aug. 11, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、広帯域半導体可飽和吸収反射鏡の、高強度入射光に対する反射率の向上を可能にすることを目的とする。【解決手段】本発明の可飽和吸収反射鏡は、光を反射させる金属表面上に、可飽和吸収半導体層及び透明半導体層が積層された構造において、金属層と半導体層の間に透明誘電体層を挿入する。透明誘電体層は、半導体の屈折率よりは小さく、金属の誘電率よりは大きい誘電率を持つ物質、たとえば、シリカ、もしくはアルミナ等が選択される。反射率の向上により、該可飽和吸収反射鏡を利用して構成したレーザー装置において、低い発振閾値、高い効率が達成できる。

Claim (excerpt)：

光を反射させるための平滑な金属面に、所定波長範囲の光に対して可飽和吸収特性を持つ半導体薄膜を含む半導体多層膜構造を有して、該所定波長範囲の入射光が該半導体多層膜構造を透過した後、該半導体多層膜構造に隣接した金属面により反射される可飽和吸収反射鏡において、該金属面と該半導体多層膜構造の間に、該所定波長範囲の光に対して透明でありかつ該波長範囲の光に対する屈折率が該半導体多層膜構造に比べて小さい誘電体物質の薄膜を付加したことを特徴とする可飽和吸収反射鏡。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01S 3/08

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/08 Z

F-Term (8)：

5F072AB13 ,  5F072FF03 ,  5F072FF04 ,  5F072FF08 ,  5F072RR01 ,  5F073AA53 ,  5F073AA83 ,  5F073CB20