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J-GLOBAL ID：200903096794263640

半導体微粒子の製造

Inventor： 石 川 正 道 ,  亀 井 信 一 ,  余 語 克 則 ,  小田原 修
Applicant, Patent owner： 株式会社三菱総合研究所
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308214
Publication number (International publication number)：1998149985
Application date： Nov. 19, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 エネルギー変換効率の高い光増感型半導体光触媒として用いることのできる半導体微粒子の新規な製造法ならびに製造装置の提供。【解決手段】 下記(1)〜(4)の工程からなることを特徴とする、半導体微粒子の製造法、ならびにそれを利用した半導体微粒子の製造装置。(1)真空雰囲気中で原料となる固体材料に光を照射して、その材料を形成する原子およびそれらが結合した励起化学種から構成されるプラズマを形成させ、(2)該プラズマ中に不活性ガス類を急速に噴出させることにより、該プラズマを冷却し、再結合および凝集させて半導体マイクロクラスターを形成させ、(3)該半導体マイクロクラスターを、不活性ガスの高速ガスフローにより超高真空槽中に噴出させて半導体マイクロクラスターのビームを形成させ、(4)該ビームを増感色素の蒸気中に通して半導体マイクロクラスターと増感色素分子とをヘテロ接合させて、半導体微粒子を形成させる。

Claim (excerpt)：

下記(1)〜(4)の工程からなることを特徴とする、半導体微粒子の製造法。(1)真空雰囲気中で原料となる固体材料に光を照射して、その固体材料を形成する原子およびそれらが結合した励起化学種から構成されるプラズマを形成させ、(2)該プラズマ中に不活性ガス、または不活性ガスと酸素との混合ガスを急速に噴出させることにより、該プラズマを冷却し、再結合および凝集させて半導体マイクロクラスターを形成させ、(3)該半導体マイクロクラスターを、不活性ガス、または不活性ガスと酸素との混合ガスの高速ガスフローにより超高真空槽中に噴出させて半導体マイクロクラスターのビームを形成させ、(4)該ビームを増感色素の蒸気中に通して半導体マイクロクラスターと増感色素分子とをヘテロ接合させて、半導体微粒子を形成させる。

IPC (8)：

H01L 21/203 ,  B01J 19/08 ,  B01J 35/02 ,  C01B 3/04 ,  C01G 11/02 ,  C01G 23/04 ,  G03C 1/10 ,  H01L 31/04

FI (8)：

H01L 21/203 M ,  B01J 19/08 K ,  B01J 35/02 J ,  C01B 3/04 A ,  C01G 11/02 ,  C01G 23/04 B ,  G03C 1/10 ,  H01L 31/04 E