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J-GLOBAL ID:200903096801027701

質量分析基板及び質量分析方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 徳廣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008114483
Publication number (International publication number):2009264911
Application date: Apr. 24, 2008
Publication date: Nov. 12, 2009
Summary:
【課題】測定対象物質を脱離・イオン化する質量分析において、脱離/イオン化した測定対象物質の検出を高感度に行うことができる質量分析方法を提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも、下記式(1)で表される官能基を1分子中に2個以上有し、かつ沸点が150°C以上であるイオン化剤と、測定対象分子とを載置する工程、前記イオン化剤と測定対象分子に、イオン、中性粒子、電子、並びに、レーザー光の中から選ばれる一つの一次ビームを照射する工程を有する質量分析方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
イオン、中性粒子、電子、並びにレーザー光の中から選ばれる一つの一次ビームを用いて、測定対象物質を脱離・イオン化する工程を含む質量分析に用いる基板であって、前記基板が下記式(1)で表される官能基を1分子中に2個以上有し、かつ常圧における沸点が150°C以上であるイオン化剤を有することを特徴とする質量分析用基板。
IPC (2):
G01N 27/62 ,  G01N 27/64
FI (5):
G01N27/62 F ,  G01N27/62 V ,  G01N27/64 B ,  G01N27/64 C ,  G01N27/62 Y
F-Term (11):
2G041CA01 ,  2G041DA04 ,  2G041DA16 ,  2G041EA01 ,  2G041FA06 ,  2G041FA09 ,  2G041FA10 ,  2G041FA11 ,  2G041FA12 ,  2G041GA06 ,  2G041JA08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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