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J-GLOBAL ID:200903096808203408
マイクロ波半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994102781
Publication number (International publication number):1995022801
Application date: May. 17, 1994
Publication date: Jan. 24, 1995
Summary:
【要約】【目的】 極めて広い周波数範囲に亘って無条件に安定化し得る回路を提供せんとするものである。【構成】 半導体装置はマイクロ波集積回路を具え、マイクロ波整合回路およびリンクノードAを経て相互接続された直バイアス回路を具えるとともにこのリンクノードAに接続された短絡ラインを含む安定化手段具える少なくとも1つのトランジスタ段を有する。この半導体装置では、前記リンクノードAに接続された短絡ラインはこのリンクノードAに短絡回路を設けることにより動作周波数を有するλ/4短絡ラインとし、且つ直流分離コンデンサを経てマイクロ波モードで接地された低抵抗を具える安定化回路をこのリンクノードAにさらに接続し得るようにする。
Claim (excerpt):
マイクロ波集積回路を具えるものであって、マイクロ波整合回路およびリンクノードAを経て相互接続された直バイアス回路を具えるとともにこのリンクノードAに接続された短絡ラインを含む安定化手段具える少なくとも1つのトランジスタ段を有する半導体装置において、前記リンクノードAに接続された短絡ラインはこのリンクノードAに短絡回路を設けることにより動作周波数を有するλ/4短絡ラインとし、且つ直流分離コンデンサを経てマイクロ波モードで接地された低抵抗を具える安定化回路をこのリンクノードAにさらに接続するようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01P 1/00
, H01P 1/24
, H03F 3/60
Patent cited by the Patent: