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J-GLOBAL ID：200903096813584495
半導体加速度センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344907
Publication number (International publication number)：1995174786
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 歩留まり向上を図った半導体加速度センサを提供する。【構成】 加速度センサ基板1は、シリコンウェハを加工して周辺の固定部11、中央の加速度により力を受ける作用部12、これら固定部11と作用部12の間を連結する薄肉の可撓部13を形成し、可撓部13表面に拡散抵抗を形成して得られる。この加速度センサ基板1の作用部には重錘体3が、固定部11には台座2が接合され、台座2は更に底板4に接合される。重錘体3の底板4に対向する面には、台座2を底板4に接合する前に予めメタライズにより導体膜31が形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板が周辺の固定部と、中央の加速度により力を受ける作用部と、これら固定部と作用部の間を連結する薄肉の可撓部とに加工され、前記可撓部の表面に拡散抵抗が形成された加速度センサ基板と、この加速度センサ基板の固定部底面が台座を介して接合された底板と、前記加速度センサ基板の作用部底面に前記底板との間に微小ギャップを保って接合され、底板に対向する面に導体が形成された重錘体とを備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
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