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J-GLOBAL ID：200903096814995537

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 山上 朗
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992180633
Publication number (International publication number)：1994029411
Application date： Jul. 08, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の配線層を形成する絶縁膜の脱ガス装置及び脱ガス方法の改良に関し、個々の半導体基板の脱ガス処理中の脱ガスチャンバ内の室内圧の変動率を検知し、この変動率の極小時点で脱ガスを完了させることにより、個々の半導体基板の表面の吸着ガスのみを正確に脱ガスすることが可能となる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 真空ポンプ及び真空計と接続され、半導体基板を載置する載物台を備えた脱ガスチャンバが加熱手段を具備し、この半導体基板の絶縁膜のガスを放出させる脱ガス装置を用いて脱ガスを行い、この真空計により検知した脱ガスチャンバの室内圧によりこの真空ポンプを制御し、この半導体基板の表面から放出されるガスの脱ガス終了時点で脱ガスを終了するように構成する。

Claim (excerpt)：

真空ポンプ(8) 及び真空計(9) と接続され、半導体基板(30)を載置する載物台(7) を備えた脱ガスチャンバ(6) が、該脱ガスチャンバ(6) の壁面に設けた石英窓(11)を介して前記脱ガスチャンバ(6) を加熱する赤外線ランプ(10)を具備することを特徴とする脱ガス装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302