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J-GLOBAL ID：200903096828775203

半導体装置

Inventor： 古谷 清広
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993251607
Publication number (International publication number)：1995105681
Application date： Oct. 07, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 消費電力を低減することができる半導体装置を提供する。【構成】 メモリセルのセルプレート電位およびビット線のプリチャージ電位を供給する中間電位発生回路11のドライバ段のトランジスタの基板電位をバイアス段のトランジスタの基板電位より小さい電位に設定することにより、ドライバ段のトランジスタに貫通電流が流れないようにし、スタンバイ時の装置の低消費電力化を実現する。

Claim (excerpt)：

基準電位に陰極側が接続され、かつ、ダイオード接続された第1トランジスタと、前記基準電位に正極側が接続され、かつ、ダイオード接続された第2トランジスタと、前記第1トランジスタの正極側の出力を受けるゲートを有する第3トランジスタと、前記第3トランジスタと接続され、前記第2トランジスタの陰極側の出力を受けるゲートを有する第4トランジスタとを含み、前記第1トランジスタのしきい値電圧は、前記第3トランジスタのしきい値電圧より小さく、かつ、前記第2トランジスタのしきい値電圧は、前記第4トランジスタのしきい値電圧より大きい半導体装置。

IPC (2)：

G11C 11/407 ,  G05F 3/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-012010
  
• 特開昭63-174115
  
• 特開昭62-036848