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J-GLOBAL ID：200903096842451399
薄膜形成装置用汚染防止材、薄膜形成装置および薄膜形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤吉 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997121512
Publication number (International publication number)：1998298737
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 10, 1998
Summary：
【要約】【目的】 高温環境下においても、薄膜形成装置内の汚染を防止し、飛散生成物再剥離に起因するパーティクルを抑える汚染防止材料を提供する。【構成】 成膜物の熱膨張係数と薄膜形成不要部材の熱膨張係数との範囲内の熱膨張係数を有する材料からなる金属箔あるいは蛇腹状金属箔あるいはエンボス加工により複数の凹凸を形成した金属箔からなる薄膜形成装置用汚染防止材。
Claim (excerpt)：
薄膜形成装置用の汚染防止材において、成膜物の熱膨張係数と前記装置内の薄膜形成不要部分の部材の熱膨張係数との間の範囲内の熱膨張係数を有する材料からなる金属箔あるいは蛇腹状金属箔あるいはエンボス加工により複数の凹凸を形成した金属箔からなる薄膜形成装置用汚染防止材。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/00 B
, C23C 16/44 J
