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J-GLOBAL ID：200903096848427554

炭素ナノ構造体の分散方法

Inventor： 李 永煕 ,  安 啓▲ひょく▼ ,  鄭 京澤 ,  趙 碩顯
Applicant, Patent owner： 三星コーニング株式会社
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004159946
Publication number (International publication number)：2004352608
Application date： May. 28, 2004
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】炭素ナノ構造体を分散させるための改善された方法の提供。【解決手段】炭素ナノ構造体の表面を含フッ素ガスでフッ素化処理し、フッ素化処理された炭素ナノ構造体を溶媒中に分散させる。本発明に従って得られた炭素ナノ構造体分散液は様々な産業分野において有用である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

炭素ナノ構造体の表面を含フッ素ガスでフッ素化処理し、フッ素化処理された炭素ナノ構造体を溶媒中に分散させることを含む、炭素ナノ構造体の分散方法。

IPC (2)：

C01B31/02 ,  B82B3/00

FI (2)：

C01B31/02 101F ,  B82B3/00

F-Term (9)：

4G146AA11 ,  4G146AC03B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD37 ,  4G146BA04 ,  4G146CB13 ,  4G146CB22 ,  4G146CB32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 韓国特許公開第2002-77506号
  
• フッ素化フラーレンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-200212   Applicant：出光興産株式会社
• 溶媒和を容易にするための単層カーボンナノチューブの化学的誘導体化及び誘導体化ナノチューブの使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-574020   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ

Cited by examiner (2)

• フッ素化フラーレンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-200212   Applicant：出光興産株式会社
• 溶媒和を容易にするための単層カーボンナノチューブの化学的誘導体化及び誘導体化ナノチューブの使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-574020   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ